Un equipo de investigadores de la Universidad de Fudan ha presentado “Poxiao”, una memoria flash revolucionaria que puede borrar y reescribir datos en apenas 400 picosegundos. Este avance podría cambiar radicalmente el rumbo del almacenamiento y la computación en inteligencia artificial.
En un logro tecnológico sin igual, los científicos chinos han creado “Poxiao”, una memoria flash que supera en rapidez a cualquier sistema de almacenamiento conocido hasta ahora.
Este dispositivo, tan pequeño como un grano de arroz, escribe y borra datos 100,000 veces más rápido que las memorias actuales. Gracias a esta velocidad, promete mejorar enormemente el rendimiento de sistemas de inteligencia artificial y centros de datos.
¿Qué es exactamente Poxiao?
Se trata de un prototipo de memoria flash no volátil que alcanza velocidades de escritura y borrado de solo 400 picosegundos (un picosegundo es una billonésima de segundo).
Este avance rompe las barreras de velocidad que enfrentan las memorias flash tradicionales, acercándose al desempeño de memorias volátiles como la DRAM, pero manteniendo la persistencia de los datos y consumiendo menos energía.
¿Dónde podría usarse?
En centros de datos que manejan grandes volúmenes de información
En sistemas de inteligencia artificial que requieren procesamiento en tiempo real
En dispositivos embebidos de última generación
Aunque por ahora el prototipo almacena solo unos pocos kilobytes, su diseño fue publicado en la revista Nature, lo que confirma su importancia científica y abre el camino para futuras versiones comerciales.
Fuente: Medios Internacionales
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