Científicos chinos han logrado un gran avance en la fabricación de semiconductores al desarrollar un chip sin silicio, basado en materiales 2D. Su mayor velocidad y eficiencia energética podrían desafiar a gigantes como Intel, Samsung y TSMC.
Este innovador chip introduce una estructura que reemplaza las tradicionales «aletas» de los transistores FinFET con un diseño puenteado, ampliando el área de contacto y optimizando la eficiencia. Como resultado, logra procesar información a mayor velocidad mientras reduce el consumo energético y la generación de calor.
El desarrollo de esta tecnología surge en un contexto de restricciones impuestas por Estados Unidos, que limitan el acceso de China a la fabricación de semiconductores avanzados. Basado en transistores GAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistors) y utilizando bismuto en lugar de silicio, este avance podría transformar la industria.
El uso de bismuto en los transistores representa una de las características más innovadoras del chip. A diferencia del silicio, este material permite una mayor movilidad de electrones y minimiza la dispersión de corriente, mejorando la eficiencia energética y el rendimiento del procesador.
Fuente: Venezuela News
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